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Samsung inicia produção em massa de chips de 256 GB para smartphones

Por| 25 de Fevereiro de 2016 às 10h43

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Samsung inicia produção em massa de chips de 256 GB para smartphones
Samsung inicia produção em massa de chips de 256 GB para smartphones
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A cada nova geração de smartphones temos notado que eles estão ficando tão poderosos quanto nossos computadores. A quantidade de recursos, bem como a rapidez na execução de tarefas, fez dos smartphones muito mais do simples aparelhos para ligações. Para aumentar ainda mais o potencial dos dispositivos móveis, a Samsung anunciou que seu chip de armazenamento UFS 2.0 de 256 GB já está em linha de produção em massa. Isso significa que o novo chip já está pronto para ser utilizado nos smartphones.

Além da grande quantidade de armazenamento, a sul-coreana conseguiu desenvolver um chip com ótimas velocidades de leitura e escrita sequenciais. A empresa afirma que elas são de duas a três vezes mais rápidas que os SSDs SATA para computadores, números bastante interessantes. O novo chip de armazenamento da marca é capaz de realizar entre 45.000 a 40.000 entrada/saída de operações por segundo, também conhecida como IOPS. Esse número é mais que o dobro do padrão UFS anterior que ainda é utilizado em muitos smartphones atuais.

Mais do que isso, o armazenamento de 256 GB consegue fazer leituras sequenciais a 850 MB/s e escreve sequencialmente a até 260 MB/s graças a um método de transferência de dados em duas vias. Esses números, incluindo a grande capacidade de armazenamento, serão cruciais para o futuro dos smartphones high-end, que devem ser cada vez mais competentes em atender à crescente demanda por conteúdo multimídia, tanto na reprodução quando na criação. As velocidades de leitura são importantes para gravação de vídeos em 4K, enquanto as operações de leitura são fundamentais para execução de vídeos 2K e 4K.

Ainda não é possível saber se a Samsung pretende disponibilizar o novo chip de armazenamento para outras fabricantes ou se irá utilizar apenas em seus smartphones. Há rumores de que a próxima geração do Galaxy Note virá equipada com 6 GB de memória RAM, o que seria ideal para um armazenamento de 256 GB.

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Fonte: SlashGear