IBM e Samsung revelam novo tipo de memória para "matar" a flash

A IBM e a Samsung anunciaram o desenvolvimento um processo para fabricar um novo tipo de memória não volátil – ou seja, cujas informações não são apagadas depois que o fornecimento de energia elétrica é interrompido – que é 100 mil vezes mais rápida que as atuais memórias NAND flash, usadas tipicamente em pendrives e SSDs.

Esse novo tipo de memória se chama Spin Transfer Torque Magnetoresistive RAM (STT MRAM), cujas informações são guardadas em um "sanduíche" de materiais magnéticos: se a polaridade das duas camadas apontarem na mesma direção, isso representa "0", enquanto se estiverem em direção oposta, vale "1". A troca de polaridade é feita por corrente elétrica de intensidade ínfima.

Além de ser muito mais rápida, também é muito compacta e gasta menos energia (e como não é volátil, não consome nada se não estiver em uso). Isso a torna melhor candidata para equipar dispositivos conectados à internet das coisas e aparelhos móveis do que as NAND flashes atuais.

Estas têm outra desvantagem: suas células de memórias se desgastam, permitindo gravar apenas um determinado número de vezes, enquanto as MRAM não sofrem com esse problema. A nova tecnologia também é menos falível (um erro para cada 1 bilhão de bits gravados) e tem um funcionamento mais simples (não é necessário apagar uma célula de memória para armazenar uma nova informação, como as NAND).

A tecnologia é tão promissora que também poderá substituir as DRAM atuais, usadas para memória de trabalho (os PCs convencionais são equipados com capacidade entre 4 e 16 gigabytes, tipicamente). Vamos ver o que o futuro reserva.

Com informações de Computerworld.